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JTAG接口浪涌静电保护方案(ESD二极管和肖特基二极管篇)

发表日期:2024-01-19来源:zjysyq.com浏览:934

JTAG接口是一类下载程序的接口,而且也是一类经常带电拔插的接口。众所周知,带电拔插会不可避免地产生一些浪涌或ESD静电放电,为此,如果不采取一些防护措施,极易因为浪涌ESD静电放电而击穿JTAG相关引脚,甚至损害CPU内部核心器件,从而造成内部电路的永久性损坏。针对JTAG接口浪涌静电问题,东沃电子技术设计了保护方案图并推荐了对应型号的保护器件。

东沃JTAG接口浪涌静电保护方案图(ESD二极管篇)东沃JTAG接口浪涌静电保护方案(ESD二极管篇).jpg

从方案图中可知,东沃电子技术推荐选用4颗ESD二极管DW03DPF-B-S为其接口保驾护航。东沃DW03DPF-B-S5工作电压3.3V、钳位电压9.4V、低漏电流0.5uA、结电容低至60pF。根据IEC 61000-4-2,可用于提供高达±30kV(空气放电)/±30kV(接触放电)的ESD保护;根据IEC 61000-4-5,可承受30A(8/20us)的峰值脉冲电流,330W(8/20us)的峰值脉冲功率,对接口芯片提供可靠的静电和浪涌保护。东沃DW03DPF-B-S,双向,采用DFN1006-2L小封装,方便PCB布线。

东沃JTAG接口浪涌静电保护方案图(肖特基二极管篇)

东沃JTAG接口浪涌静电保护方案(肖特基二极管篇).jpg

从方案图中可知,东沃电子技术采用钳位二极管对信号接口进行保护。二极管选用了东沃电子推出的肖特基二极管BAT54S,该器件反向截至电压为30V,正向电流0.2A,漏电低至2uA。在芯片3.3V工作电压下,可将信号电平钳位在±4.1V左右,从而更好地保护接口芯片免受静电或浪涌的影响。

JTAG接口浪涌静电保护器件参数

1)ESD二极管DW03DPF-B-S参数

查看东沃电子“ESD-DW03DPF-B-S Datasheet”产品规格书可知,其参数详情如下:

DW03DPF-B-S.png

2)肖特基二极管BAT54S参数

查看东沃电子“SBD-BAT54~BAT54S (SOT-23) Datasheet”产品规格书可知,其参数详情如下:

BAT54S.png

以上是东沃JTAG接口浪涌静电经典保护方案设计图,如有特殊需求,欢迎前来探讨。浪涌静电防护方案,找东沃电子,电路保护不迷路!方案中选用到的ESD二极管DW03DPF-B-S和肖特基二极管BAT54S,东沃电子已全面量产、品质稳定、高可靠性、交期迅速、厂家价格、免费样品、免费EMC测试、免费选型,欢迎广大新老客户前来咨询:137 5773 6996(微信同号)余工

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