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GPS接口浪涌静电保护方案设计图及防护器件选型详解

耀世娱乐从东沃GPS接口浪涌静电保护方案设计图可知，东沃电子技术从两个方面进行浪涌静电防护：一个是对内馈直流电源进行浪涌防护，另一个是对射频信号进行防护。一级电源防护，东沃技术推荐选用半导体放电管P0080SC，用于吸收雷击或大浪涌电流。馈电部分防护选用单向瞬态抑制TVS二极管SMBJ6.0A和肖特基二极管B0520W，可有效保护后端LDO芯片免受浪涌的冲击。二级信号接口选用东沃推出的ESD静电保护二极管DW05DLC-B-S，工作电压5V、低钳位电压18.3V、低漏电流1uA。

了解更多>> 2023-11-27

VOIP端口浪涌保护方案

从VOIP端口浪涌保护方案图中可以看出，电路保护器件选用的是东沃自主研发、生产的半导体放电管DWOS61089-17HN。该VOIP端口保护方案浪涌能力：DM 6KV CM 6KV Per ITU K.21 10/700μs 40Ω。当然，还有其他的可行性VOIP端口浪涌保护方案，可根据客户的需求量身设计并个性化定制电路保护器件！

2020-06-17

以太网端口浪涌保护方案

耀世娱乐从以太网端口浪涌保护方案图中可以看出，电路保护器件选用的是东沃自主研发、生产的TVS二极管阵列DW03DLC-B和半导体放电管DWOS4-100/400AD。该以太网端口保护方案浪涌能力：DM 2KV CM 6KV Per ITU K.21 10/700μs 40Ω。当然，还有其他的可行性以太网端口浪涌保护方案，可根据客户的需求量身设计并个性化定制电路保护器件！

2020-06-17

G.Fast端口浪涌保护

耀世娱乐从G.Fast端口浪涌保护方案图中可以看出，电路保护器件选用的是东沃自主研发、生产、销售的陶瓷气体放电管GDTN3RD5-420和半导体放电管DWOS5-024GF。G.Fast端口保护方案浪涌能力：DM 1.5KV CM 6KV ITU K.21 10/700μs 40Ω。

2020-06-17

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