DW05M2T-S为LVDS接口芯片静电(ESD)保护护航
发表日期:2021-10-18浏览:1355
关于LVDS接口静电ESD保护方案,之前就科普过。今天,东沃电子技术为大家分享最新的LVDS接口ESD静电保护方案图,如下:
从图中可以看出,LVDS接口静电保护方案从集成ESD器件和分立ESD器件来设计的。集成ESD器件保护方案选用了ESD二极管DW05M2T-S,具体参数详情如下:
工作电压:5V击穿电压:6V
钳位电压:16.7V
峰值脉冲电流:18A
峰值脉冲功率:300W
结电容:100pF
漏电流:1uA
封装形式:SOT-23
分立ESD器件保护方案选用了2个ESD二极管DW03DLC-B-S,具体参数详情如下:工作电压:3.3V
击穿电压:4V
钳位电压:19V
峰值脉冲电流:20A
峰值脉冲功率:350W
结电容:1pF
漏电流:1uA
封装形式:SOD-323
想了解更多有关LVDS接口静电(ESD)防护方案,东沃电子从方案设计、EMC测试、器件选型、样品申请等一站式为您服务,详情咨询:137 5773 6996(微信同号)余经理