肖特基二极管工作原理

肖特基二极管（肖特基势垒二极管，英文简称：SBD）是一种利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制成的热载流子二极管。肖特基二极管贵金属A为正极，N型半导体B为负极，由于N型半导体中存在大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，为此，电子便从浓度高的B向浓度低的A中扩散，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

肖特基二极管的特点

肖特基二极管具有开关频率高、正向压降低、反向恢复时间短（纳秒级）、耐受浪涌电流能力强、抗高温特性等优点，当然，其最大的缺点就是反向偏压较低、漏电流大。根据肖特基二极管的结构和特点，其适用于高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，或在微波通信等做整流二极管、小信号检波二极管使用，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中。

很多客户想东沃电子DOWOSEMI反馈：肖特基二极管参数这个问题，说不明白其中的含义，太难理解了，希望能够科普下这方面的知识。为此，接下来东沃电子针对肖特基二极管参数进行详细阐述。

肖特基二极管参数详解

Maximum repetitive peak reverse voltage，缩写VRRM：最大峰值反向电压
Maximum RMS voltage，缩写VRMS：最大反向有效值电压
Maximum DC blocking voltage，缩写VDC：最大直流截止电压
Maximum average forward rectified current，缩写I(AV)：最大平均正向整流电流
Peak forward surge current，缩写IFSM：峰值正向浪涌电流
Maximum instantaneous forward voltage，缩写VF：最大正向压降
Maximum DC reverse current，缩写IR：反向漏电流
Typical junction capacitance，缩写CJ：结电容
Typical thermal resistance，缩写RqJA：典型热阻
Operating junction temperature range，缩写TJ：工作结温
Storage temperature range，缩写TSTG：存储温度
Reverse Recovery Time，缩写Trr：反向恢复时间
Case Temperature，缩写TC：管子壳温度

肖特基二极管有贴片和直插两种封装形式，具体型号及产品手册PDF资料，可向二极管厂家东沃电子索取136 7581 6901（微信同号）朱经理     

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