DW05DGCMS-BH-E超低电容ESD静电保护二极管，符合AEC-Q101标准，可安全吸收±12 kV 的重复ESD冲击而不影响性能，并可安全耗散2A的8/20μs 浪涌电流，广泛应用于在PCB布局尤其具有挑战性的应用中保护超高速消费电子产品接口免受破坏性静电放电（ESD）的损坏。

不断提升的数据速率给需要保持高度信号完整性的设计工程师带来了巨大挑战，与其他ESD保护解决方案相比，DW05DGCMS-BH-E的标称电容要低50%，有益于保持信号的完整性，并将数据丢失率降至最低。同时，提供超过30 GHz的传输频带，让信号完整性工程师可创造出高速的数据环境。

超低电容TVS二极管阵列DW05DGCMS-BH-E特性：
⦁ Small Body Outline Dimensions:0.60mm x 0.30 mm
⦁ Low Clamping Voltage
⦁ Ultra Low Capacitance:0.15pF
⦁ Working Voltage: 5 V
⦁ Low Leakage Current
⦁ DFN0603-2L package
⦁ IEC 61000-4-2 (ESD) ±12kV (air), ±12kV (contact)
⦁ IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
⦁ IEC 61000-4-5 (Lightning) 3A (8/20μs)

超低电容TVS二极管阵列DW05DGCMS-BH-E优势：
1）低于0.15 pF基于硅的ESD保护可实现高达30 GHz的传输频带，保护超快的数据接口确保高度信号的完整性；
2）采用业内标准的0201DFN封装，减少寄生电容、电感和电阻，使得TVS二极管阵列更好地融入保护方案；
3）超低寄生电容和电感可改善动态电阻性能，更快、更好地保护电路；

超低电容TVS二极管阵列DW05DGCMS-BH-E应用：
⦁ 超高速数据线路和接口
⦁ 低功率天线端口
⦁ 消费类、移动及便携式电子产品 
⦁ 平板电脑和带有高速接口的外部存储设备 

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