芯片结构有平面和台面之分，平面芯片工艺一般为浅结结构，台面芯片工艺包含浅结和深结结构，二者芯片工艺对应产品及功能用途有所不同，两者技术各有特点。平面工艺多适用于 MOS管、IGBT等晶体管芯片、肖特基二极管芯片以及部分功率二极管芯片制造；台面工艺适用于FRD/FRED、TVS二极管、STD、稳压二极管等大部分二极管GPP芯片制造。

鉴于功率半导体，尤其是功率二极管器件应用领域广泛，细分产品规格型号数量繁多，在行业内各家芯片制造公司均是结合自身优势，采用具有自身特色的具体工艺技术路径。不同产品适用不同的最佳工艺路线，两种工艺技术合理共存。自 20 世纪60年代平面工艺技术出现以来，平面工艺从未对功率二极管台面工艺进行替代，平面工艺和台面工艺不存在更新迭代关系。 

在中低压功率二极管制造方面，平面工艺仅应用于部分中低压产品生产，应用范围较窄；多数中低压产品采用GPP工艺，光阻法GPP工艺产品可与平面工艺产品具有同等性能，制作过程较为简单，更加具有成本优势和竞争力。在高压功率二极管制造方面，平面工艺生产高耐压产品不可避免需要采用分压环，甚至要采用多道分压环设计，如果要获得同等有效通流面积，平面工艺芯片尺寸要比光阻法GPP工艺芯片尺寸更大，且平面工艺制作过程复杂，成本较高，不具有竞争力，高压产品行业很少采用平面工艺。

在 FRD/FRED 芯片制造方面，平面工艺多适用于反向耐压1200V 以下的续流管产品生产，用作整流二极管、高频二极管、阻尼二极管、 1200V 以上高压续流管等领域时，多采用台面工艺。在TVS二极管芯片制造方面，平面工艺多适用于低压小功率产品生产，主要在耳机、智能手环手表、手机等可穿戴类或便携类消费类电子产品中抗静电保护作用；其他细分领域，TVS二极管多采用台面GPP工艺。在STD芯片制造方面，业内基本采用台面GPP工艺。

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